1．金上镀镍后金相切片法
　　对于电路板过薄的金层，通常的金相切片制作后的微蚀往往将截面处的金完全去除，如不进行微蚀质地柔软的金会沿着研磨方向扩展产生披峰。在这种情况下，可以将样品再进行化学镀或电镀一层镍，然后再按常规的金相切片制作流程进行操作。简要工艺流程如下图3所示。

图3 加镀镍层后金相切片制作简要流程
金相切片制作完成后辅助扫描电镜对截面进行观察测量。代表性的图片如下：

图4金上镀镍后截面SEM图（5000X）

2．化学溶解法
　　近来某些企业和研究所对化学溶解法有所研究，其思路是用氰化物对电路板焊盘表面的金进行选择性的溶解，然后依据标准稀释，再进入ICP-OES(自感耦合等离子体发射光谱仪)中进行定量分析。然后将结果除以金镀层的面积和金的密度，得出金镀层的厚度。
焊盘表面金的溶解实质上是一个电化学的过程，大致遵循下列反应[2]：

4Au+8NaCN+O2+2H2O→4NaAu(CN)2+4NaOH

　　ICP-OES主要以射频发生器、等离子体炬管、雾化器三部分组成。自感耦合等离子体发射光谱分析是以射频发生器提供的高频能量加到感应耦合线圈上，并将等离子炬管置于该线圈中心，因而在炬管中产生高频电磁场，用微电火花引燃，使通入炬管中的氩气电离，产生电子和离子而导电，电路板导电的气体受高频电磁场作用，形成与耦合线圈同心的涡流区，强大的电流产生的高热，从而形成火炬形状的、并可以自持的等离子体，由于高频电流的趋肤效应及内管载气的作用，使等离子体呈环状结构。样品由载气(氩)带入雾化系统进行雾化后，以气溶胶形式进入等离子体的轴向通道，在高温和惰性气氛中被充分蒸发、原子化、电离和激发，发射出所含元素的特征谱线。根据特征谱线的存在与否，鉴别样品中是否含有某种元素(定性分析)；根据特征谱线强度确定样品中相应元素的含量(定量分析)。
　　其计算公式如下，镀金层表面积测量示意图见图5所示：
　　　
　　　其中：T—镀金层厚度；
　　　M—ICP-OES测得的金的总质量；
　　　S—镀金层的面积；
　　　ρAu—金的密度；
　　　L—单个金焊盘的长度；
　　　W—单个金焊盘的宽度。